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特 點(diǎn)
典型應(yīng)用 說(shuō)明
1、非絕緣，底板為公共電極 2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力 4、高浪涌電流 5、低正向壓降 1、電焊機(jī)電源 2、各種DC電源 3、變頻器 4、勵(lì)磁電源 1、VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+100V 2、除非另作說(shuō)明，IGT,VGT, IH, VTM 為25℃測(cè)試值，表中參數(shù)皆為在Tjm下的測(cè)試值。 3、I2t=I2TSMtW/2; tW=正弦半波電流底寬。在50Hz下，I2t（10ms）=0.005I2TSM（A2s）

注： 1、型號(hào)欄中MTx表示MTG、MTA、MTY、MT（NA）、MT（NK）中的任一種。 2、Rth(j-c)為單只芯片的額定值。
電路圖：

型號(hào)
VDRM
VRRM
IT(AV)
ITSM
I2t
dv/dt
di/dt
IDRM
IRRM
IGT
VGT
IH
VTM/ITM
VTO
rT
Rth(j-c)
Tjm
TC
適用外形
 
10ms
125°C
25°C
125°C
per chip
    
V
A
kA
kA2s
V/μs
A/μs
mA
mA
V
mA
V/A
V
m.ohm
°C/W
°C
°C
800-1800
50
1.2
7.2
800
100
8
100
2.5
180
1.70/150
0.80
5.41
0.480
125
90
800-1800
100
2.5
31
800
100
12
100
2.5
180
1.67/300
0.8
2.45
0.250
125
90
800-1800
150
3.9
76
800
100
12
100
2.5
180
1.67/450
0.80
1.74
0.160
125
90
800-1800
200
5.2
135
800
100
20
150
2.5
180
1.62/600
0.8
1.15
0.130
125
90
800-1800
250
6.7
224
800
100
20
150
2.5
180
1.65/750
0.80
1.02
0.100
125
90
800-1800
300
8.3
344
800
100
25
150
2.5
180
1.58/900
0.80
0.72
0.080
125
90

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