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功率半導體模塊的概述
發布日期:2020-07-16
  

功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡寫為PIC)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時能更節能、節材,能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(power system on a chip,簡寫PSOC),它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上,使其具有按照負載要求精密調節輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能。國際專家把它的發展喻為第二次電子學革命。

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